息，因特尔已经将一批技术转让给了炎黄集团。

而这批技术的最新时间点是1994年的。

按照这个时间线以及瓦森纳协定的精神，1993年问世的0.35微米工艺，我们是完全可以在华国生产，而不用担心阿美莉卡的长臂管辖。”

他顿了顿，眼中闪过一丝精光，“而半年前，华国的技术水平还停留在1984年的1.25微米水平。

我们就算他们能采取跳跃式发展，也不可能在短短一年内完成1微米、0.8微米、0.6微米、0.35微米四代工艺的跨越。

说到这里，他哈哈大笑了起来，“更何况他们还在使用436nm g线光源，而且还是接触式路径。”

江尚义听后也露出了笑容。

这是他们曾经走过的老路，是再熟悉不过的。

接触式路径，掩模直接贴在硅片上进行光刻，不仅容易造成污染，而且掩模的使用寿命也相对较短。

后来的接近式光刻技术对此进行了改进，通过在掩模和硅片之间形成一层薄薄的气垫，使两者不再直接接触，提高了良率也提升了掩膜的寿命，这大大的降低了成本。

但气垫的存在，又会影响成像的精度，所以g线光源的最高制程也只能达到0.35微米工艺。

而g线光源的下一代是波长365nm的i线光源，其最高制程工艺可以达到0.25微米。

再往下发展，就必须采用第三代光源，即波长248nm的krf（氟化氪）准分子激光，它能够实现130nm的制程。

至于第四代光源，则是目前最先进的193nm arf（氟化氩）准分子激光。

按照林本坚的理论，这种光源通过浸入式技术，理论上可以将制程推进到22nm，甚至在孙元成根据david mann公司的重复曝光理论推测，还能更低。